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长鑫存储推出第六代DRAM技术平台 完成工程样片验证
近期，长鑫存储（CXMT）在2026年第三季度业绩交流会上宣布，第五代DRAM技术平台及LPDDR6内存已实现量产。同时，基于4F²单元结构的第六代DRAM技术平台也成功完成工程样片验证。目前，长鑫存储已推出245Ball和496Ball封装的LPDDR5X产品，未来将陆续推出更多基于第五代DRAM技术的平台产品，如DDR5和LPDDR6，这将为客户提供更多选择并提升内存性能。与第四代DRAM相比，采用第五代DRAM技术的平台每片晶圆的裸片产出可增加至少50%，在成本和能效方面显示出更明显的优势，从而更好地支持LPDDR6的规模化生产。
长鑫存储在4F²单元结构上的核心创新为自研的VSG垂直包围沟道晶体管，能够增强栅控能力，减少漏电与短沟道效应，而且晶体管的垂直布局进一步缩小了芯片面积。为了适应这一新结构，长鑫存储对字线金属化、位线成型、结激活等多个关键工艺进行了深入研究，并通过混合键合技术将存储阵列和外围逻辑电路分别制造于两片晶圆上，并通过键合工艺进行整合，从而突破了传统单片DRAM制造的工艺限制。此外，长鑫存储预计将在今年底推出结合4F²单元结构和混合键合技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
